GS8342TT37BD-333I,GS8342TT37BD-333I pdf中文资料,GS8342TT37BD-333I引脚图,GS8342TT37BD-333I电路-Datasheet-电子工程世界

GS8342TT37BD-333I: 产品描述DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小548KB，共30页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
Is Samacsys	N
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	165
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最小待机电流	1.7 V
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

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