DDR DRAM Module, 128MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | DIMM |
包装说明 | DIMM, |
针数 | 240 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
长度 | 133.35 mm |
内存密度 | 1073741824 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 240 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 55 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128MX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 30 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 2.7 mm |
Base Number Matches | 1 |
HMP112P7EFR4C-S5 | HMP112P7EFR4C-Y5 | HMP112P7EFR4C-C4 | HMP112P7EFR4C-S6 | |
---|---|---|---|---|
描述 | DDR DRAM Module, 128MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 | DDR DRAM Module, 128MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 | DDR DRAM Module, 128MX8, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 | DDR DRAM Module, 128MX8, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
包装说明 | DIMM, | DIMM, | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
针数 | 240 | 240 | 240 | 240 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B84 | R-XZMA-N200 | R-PBGA-B60 |
长度 | 133.35 mm | 133.35 mm | 133.35 mm | 133.35 mm |
内存密度 | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 240 | 240 | 240 | 240 |
字数 | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 | 128000000 | 128000000 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 55 °C | 55 °C | 55 °C | 55 °C |
组织 | 128MX8 | 128MX8 | 128MX8 | 128MX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 30 mm | 30 mm | 30 mm | 30 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | ZIG-ZAG | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 2.7 mm | 2.7 mm | 2.7 mm | 2.7 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
厂商名称 | - | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) |
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