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HMP112P7EFR4C-S5

产品描述DDR DRAM Module, 128MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240
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文件大小401KB,共26页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMP112P7EFR4C-S5概述

DDR DRAM Module, 128MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240

HMP112P7EFR4C-S5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数240
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度133.35 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织128MX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度30 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.7 mm
Base Number Matches1

HMP112P7EFR4C-S5相似产品对比

HMP112P7EFR4C-S5 HMP112P7EFR4C-Y5 HMP112P7EFR4C-C4 HMP112P7EFR4C-S6
描述 DDR DRAM Module, 128MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX8, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX8, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX8, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240
针数 240 240 240 240
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码 R-PBGA-B60 R-PBGA-B84 R-XZMA-N200 R-PBGA-B60
长度 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C 55 °C 55 °C 55 °C
组织 128MX8 128MX8 128MX8 128MX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH MICROELECTRONIC ASSEMBLY GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM ZIG-ZAG BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 2.7 mm 2.7 mm 2.7 mm 2.7 mm
Base Number Matches 1 1 1 -
厂商名称 - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)

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