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2SC2932

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共2页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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2SC2932概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

2SC2932规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数5
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压17 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F6
元件数量1
端子数量6
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值20 W
最小功率增益 (Gp)7.8 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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