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SAP16NY

产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB，共1页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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SAP16NY概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin

SAP16NY规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压160 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)8000
JESD-30 代码R-PSFM-T5
元件数量1
端子数量5
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SAP16N
(Complement to type SAP16P)
Equivalent
circuit
B
R: 100Ω Typ.
C
D
S
Emitter resistor
RE: 0.22Ω Typ.
E
Application:
Audio
sElectrical
Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE
V
V
CE (sat)
V
BE (sat)
V
BE
Di V
F
R
E
R
EB
Conditions
V
CB
=160V
V
EB
= 5V
I
C
= 30mA
V
CE
= 4V, I
C
= 10A
I
C
= 10A, I
B
= 10mA
I
C
= 10A, I
B
= 10mA
V
CE
= 20V, I
C
= 40mA
I
F
= 2.5mA
I
E
= 1A
0.176
90
1190
705
0.22
100
0.264
110
160
5000
20000
2.0
2.5
V
V
mV
mV
Ω
Ω
Ratings
min
typ
max
sAbsolute
maximum ratings
(Ta=25°C)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Di I
F
Tj
Tstg
Ratings
160
160
5
15
1
150( Tc = 25°C)
10
150
–40 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
mA
°C
°C
( Ta = 25°C )
Unit
µA
µA
V
External Dimensions
3.3
±
0.2
15.4
±
0.3
9.9
±
0.2
φ
3.2
±
0.2
5
±
0.2
(Unit: mm)
4.5
±
0.2
1.6
±
0.2
100
100
3.4max
a
b
1
±
0.1
(41)
(2.5)
0.65
–0.1
+0.2
0.8
–0.1
+0.2
2.54
±
0.1
3.81
±
0.1
(7.62)
(12.7)
17.8
±
0.3
4
±
0.1
2.54
±
0.1
3.81
±
0.1
(18)
1.35
–0.1
+0.2
0.65
–0.1
V
h
FE
Rank O (5000 to 12000), Y (8000 to 20000)
B D
C
S E
Weight: Approx 8.3g
a. Part No.
b. Lot No.
I
C
– V
CE
Characteristics
(Typical)
50mA
5.0mA
3.0mA
V
CE(
sat
)
– I
B
Characteristics
(Typical)
Collector-Emitter Saturation Voltage V
CE(
sat
)
(V)
3
15
I
C
– V
BE
Temperature Characteristics
(Typical)
( V
CE
= 4V)
15
0m
2.
A
A
1.5m
1.2mA
1.0mA
Collector Current I
C
(A)
10
0.8mA
2
Collector Current I
C
(A)
10
I
C
=15A
10A
1
5A
0.5mA
5
I
B
= 0.3mA
5
125°C
25°C
–30°C
0
0
2
4
6
0
0.4
1
5
10
50
100
200
0
0
1
2
2
±
0.1
+0.2
(36°)
7
±
0.2
22
±
0.3
23
±
0.3
28
±
0.3
2.5
Collector-Emitter Voltage V
CE
( V)
Base Current I
B
(mA)
Base-Emitter Voltage V
BE
(V)
h
FE
– I
C
Characteristics
(Typical)
DC Current Gain h
FE
j-a
(°C/W)
j-a
–
t
3
Characteristics
40000
(V
CE
=4V)
125°C
10000
5000
25°C
–30°C
Transient Thermal Resistance
1
0.5
1000
0.3
0.1
1
5
10
50
100
500 1000 2000
0.5
1
5
10
15
Collector Current I
C
(A)
Time t (ms)
Safe Operating Area
(Single Pulse)
40
10
m
s
Di I
F
– V
F
Characteristics
(Typical)
10
150
P
C
– Ta Derating
Collector Current I
C
(A)
D.
C
Forward Current I
F
(mA)
10
5
10
0
m
s
Maximum Power Dissipation Pc (W)
W
5
ith
100
In
fin
ite
he
at
sin
k
1
0.5
50
Without Heatsink
Natural Cooling
0.1
0.05
3
5
10
50
100
200
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
3.5
0
Without Heatsink
0
25
50
75
100
125
150
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
Forward Voltage V
F
(V )
Ambient Temperature Ta (°C)
169

SAP16NY相似产品对比

SAP16NY SAP16NO
描述 Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A
集电极-发射极最大电压 160 V 160 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 8000 5000
JESD-30 代码 R-PSFM-T5 R-PSFM-T5
元件数量 1 1
端子数量 5 5
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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