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DPS1MX16MKI3-35M

产品描述SRAM Module, 1MX16, 35ns, CMOS, CQIP52, 0.269 INCH HEIGHT,STRAIGHT, STACK, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SLCC-52
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文件大小262KB,共8页
制造商Twilight Technology Inc
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DPS1MX16MKI3-35M概述

SRAM Module, 1MX16, 35ns, CMOS, CQIP52, 0.269 INCH HEIGHT,STRAIGHT, STACK, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SLCC-52

DPS1MX16MKI3-35M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QIP
包装说明QIP, QUAD52,.56X.98
针数52
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
备用内存宽度8
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQIP-T52
长度24.892 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端子数量52
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QIP
封装等效代码QUAD52,.56X.98
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度7.5438 mm
最大待机电流0.0072 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14.224 mm
Base Number Matches1
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