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KM44V1000CP-7

产品描述Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
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文件大小55KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM44V1000CP-7概述

Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20

KM44V1000CP-7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP20,.3
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T20
JESD-609代码e0
长度26.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度5.08 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1
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