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SAM50FAS: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小74KB，共2页; 制造商SSDI; 官网地址http://www.ssdi-power.com/

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SAM50FAS概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

SAM50FAS规格参数

参数名称	属性值
包装说明	E-XALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	E-XALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最大输出电流	0.5 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
最大反向恢复时间	0.15 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

SAM50FA

Designer’s Data Sheet

Part Number / Ordering Information

SAM 50

⏐

_ _ __

⏐

Screening

= None

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

•

0.5 Amp

5000 VOLTS

150 nsec

HIGH VOLTAGE

RECTIFIER

FEATURES:

Ultra Fast and Fast Recovery: 150 nsec

Maximum

Hermetically Sealed Surface Mount Package

Void Free Construction

Metallurgically Bonded

175°C Maximum Operating Temperature

TX, TXV, and Space Level Screening Available

Package

___ = Axial

SMS = Surface Mount Square Tab

Recovery Time

F = Fast Recovery

Voltage

50 = 5000

Maximum Ratings

Peak Inverse Voltage

Average Rectified Forward Current

Maximum Reverse Current

Maximum Forward Voltage

@ I

= 500 mA

Maximum Surge Current 1 Cycle

Maximum Reverse Recovery Time

Maximum Junction Capacitance

(fT = 1MHz @ 100 Volts)

Symbol

PIV

25ºC

100ºC

25ºC

100ºC

FSM

trr

θJL

/ R

θJE

Axial Leaded

Value

5000

500

300

3.0

150

Units

Volts

μA

Volts

Amps

nsec

°C/W

SMS

Typical Thermal Impedance (L=3/8”)

1/ For Ordering Information, Price, and Availability – Contact Factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Operating and testing over 10,000 V/inch may require encapsulation or

immersion in a suitable dielectric material.

4/ Max. forward voltage measured with instantaneous forward pulse of

300µsec minimum.

5/ Max. lead/end tab temp. for soldering is 250°C, 3/8”from the case for 5 sec

maximum.

6/ Operating and storage temperature: -65°C to +175°C.

7/ Reverse Recovery Test Conditions: IF=.5A, IR=1mA, IRR=.25A, TA=25°C.

NOTE:

All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RV0033C

DOC

SAM50FAS相似产品对比

	SAM50FAS	SAM50FATX	SAM50FASMS	SAM50FATXV
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
包装说明	E-XALF-W2	E-XALF-W2	E-LELF-R2	E-XALF-W2
针数	2	2	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N	N	N
其他特性	METALLURGICALLY BONDED	METALLURGICALLY BONDED	METALLURGICALLY BONDED	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	E-XALF-W2	E-XALF-W2	E-LELF-R2	E-XALF-W2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最大输出电流	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	GLASS	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大反向恢复时间	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs
表面贴装	NO	NO	YES	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WRAP AROUND	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	END	AXIAL
Base Number Matches	1	1	1	1

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