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M58CR064C12ZB6

产品描述4MX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PBGA56, 6.50 X 10 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-56
产品类别存储    存储   
文件大小1000KB,共70页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M58CR064C12ZB6概述

4MX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PBGA56, 6.50 X 10 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-56

M58CR064C12ZB6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码BGA
包装说明6.50 X 10 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-56
针数56
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间120 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B56
JESD-609代码e1
长度10 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,127
端子数量56
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA56,7X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
电源1.8,1.8/3 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度6.5 mm
Base Number Matches1

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M58CR064C, M58CR064D
M58CR064P, M58CR064Q
64 Mbit (4Mb x 16, Dual Bank, Burst )
1.8V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
s
SUPPLY VOLTAGE
– V
DD
= 1.65V to 2V for Program, Erase and
Read
– V
DDQ
= 1.65V to 3.3V for I/O Buffers
– V
PP
= 12V for fast Program (optional)
s
Figure 1. Package
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ
– Synchronous Burst Read mode : 54MHz
– Asynchronous/ Synchronous Page Read
mode
– Random Access: 85, 90, 100, 120ns
FBGA
s
PROGRAMMING TIME
– 10µs by Word typical
– Double/Quadruple Word Program option
TFBGA56 (ZB)
6.5 x 10mm
s
MEMORY BLOCKS
– Dual Bank Memory Array: 16/48 Mbit
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)
s
DUAL OPERATIONS
– Program Erase in one Bank while Read in
other
– No delay between Read and Write operations
s
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code, M58CR064C: 88CAh
– Bottom Device Code, M58CR064D: 88CBh
– Top Device Code, M58CR064P: 8801h
– Bottom Device Code, M58CR064Q: 8802h
s
BLOCK LOCKING
– All blocks locked at Power up
– Any combination of blocks can be locked
– WP for Block Lock-Down
s
SECURITY
– 128 bit user programmable OTP cells
– 64 bit unique device number
– One parameter block permanently lockable
s
s
COMMON FLASH INTERFACE (CFI)
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
June 2003
1/70

 
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