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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHNJ57130PBF
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IRHNJ57130PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小179KB，共8页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRHNJ57130PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN

IRHNJ57130PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级（Eas）70 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.06 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)88 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD-93754G
RADIATION HARDENED
POWER MOSFET
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
Product Summary
Part Number Radiation Level
IRHNJ57130
100K Rads (Si)
IRHNJ53130
300K Rads (Si)
IRHNJ54130
500K Rads (Si)
IRHNJ58130
1000K Rads(Si)
R
DS(on)
0.06Ω
0.06Ω
0.06Ω
0.075Ω
I
D
22A*
22A*
22A*
22A*
IRHNJ57130
JANSR2N7481U3
100V, N-CHANNEL
REF: MIL-PRF-19500/703
5

TECHNOLOGY
™
QPL Part Number
JANSR2N7481U3
JANSF2N7481U3
JANSG2N7481U3
JANSH2N7481U3
SMD-0.5
International Rectifier’s R5
TM
technology provides
high performance power MOSFETs for space
applications.These devices have been characterized
for Single Event Effects (SEE) with useful performance
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm
2
)). The combination
of low R
DS(on)
and low gate charge reduces the
power losses in switching applications such as DC
to DC converters and motor control. These devices
retain all of the well established advantages of
MOSFETs such as voltage control, fast switching,
ease of paralleling and temperature stability of
electrical parameters.
Features:
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened
Ultra Low R
DS(on)
Low Total Gate Charge
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Surface Mount
Ceramic Package
Light Weight
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
À
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Á
Avalanche Current
À
Repetitive Avalanche Energy
À
Peak Diode Recovery dv/dt
Â
Operating Junction
Storage Temperature Range
Pckg. Mounting Surface Temp.
Weight
* Current is limited by package
For footnotes refer to the last page
300 (for 5s)
1.0 (Typical)
22*
16
88
75
0.6
±20
70
22
7.5
1.4
-55 to 150
Pre-Irradiation
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
g
www.irf.com
1
10/27/11

IRHNJ57130PBF相似产品对比

IRHNJ57130PBF IRHNJ57130 IRHNJ53130PBF IRHNJ57130SCSPBF IRHNJ54130PBF IRHNJ58130PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN 22 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant unknow compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 70 mJ 70 mJ 70 mJ 70 mJ 70 mJ 70 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 22 A 22 A 22 A 22 A 22 A 22 A
最大漏源导通电阻 0.06 Ω 0.06 Ω 0.06 Ω 0.06 Ω 0.06 Ω 0.06 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED 260 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 88 A 88 A 88 A 88 A 88 A 88 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED 40 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合
Base Number Matches 1 1 1 1 - -

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