M366S6453CTU-L1H,M366S6453CTU-L1H pdf中文资料,M366S6453CTU-L1H引脚图,M366S6453CTU-L1H电路-Datasheet-电子工程世界

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M366S6453CTU-L1H: 产品描述Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小170KB，共11页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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M366S6453CTU-L1H概述

Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

M366S6453CTU-L1H规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.032 A
最大压摆率	1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

M366S6453CTU-L1H相似产品对比

	M366S6453CTU-L1H	M366S6453CTU-L7C	M366S6453CTU-L7A	M366S6453CTU-C7C	M366S6453CTU-C1L	M366S6453CTU-C7A	M366S6453CTU-C1H	M366S6453CTU-L1L
描述	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168	168	168	168	168
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64	64	64
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168	168	168	168	168
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225	225	225
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A
最大压摆率	1.76 mA	2 mA	1.84 mA	2 mA	1.76 mA	1.84 mA	1.76 mA	1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

M366S6453CTU-L1H

M366S6453CTU-L1H概述

M366S6453CTU-L1H规格参数

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