B25DC100LPBF,B25DC100LPBF pdf中文资料,B25DC100LPBF引脚图,B25DC100LPBF电路-Datasheet-电子工程世界

B25DC100LPBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 55.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER MODULE-4; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小249KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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B25DC100LPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 55.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER MODULE-4

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	MODULE
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	110 µs
配置	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE
关态电压最小值的临界上升速率	300 V/us
最大直流栅极触发电流	60 mA
最大直流栅极触发电压	2 V
最大维持电流	100 mA
JESD-30 代码	R-PUFM-X4
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	55.5 A
重复峰值关态漏电流最大值	10000 µA
断态重复峰值电压	1000 V
重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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