Silicon Controlled Rectifier, 39.25A I(T)RMS, 25000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间 | 110 µs |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 60 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2 V |
| 快速连接描述 | G |
| 螺丝端子的描述 | A-K-AK |
| 最大维持电流 | 100 mA |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大漏电流 | 10 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 410 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最大通态电流 | 25000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 39.25 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值 | 10000 µA |
| 断态重复峰值电压 | 800 V |
| 重复峰值反向电压 | 800 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR |
| Base Number Matches | 1 |
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