IRFD9113: 产品描述600mA, 80V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小815KB，共7页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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IRFD9113概述

600mA, 80V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

IRFD9113规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V
最大漏极电流 (ID)	0.6 A
最大漏源导通电阻	1.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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IRFD9113相似产品对比

	IRFD9113	IRFD9110
描述	600mA, 80V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	700mA, 100V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
Reach Compliance Code	unknown	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	0.6 A	0.7 A
最大漏源导通电阻	1.6 Ω	1.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T3	R-PDIP-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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