Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 500 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 20 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SB951 | 2SB951A | |
---|---|---|
描述 | Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification | Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 8 A | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 80 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 500 | 500 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 20 MHz | 20 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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