Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Panasonic(松下) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SB929A | 2SB929 | |
---|---|---|
描述 | Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification | Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification |
厂商名称 | Panasonic(松下) | Panasonic(松下) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Is Samacsys | N | N |
最大集电极电流 (IC) | 3 A | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V | 60 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 | 10 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W | 1.3 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz | 30 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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