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2SB929A

产品描述Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SB929A概述

Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification

2SB929A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

2SB929A相似产品对比

2SB929A 2SB929
描述 Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 80 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.3 W 1.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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