
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 雪崩能效等级(Eas) | 980 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-259AA |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 100 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRFI360PBF | IRFI064 | IRFI064PBF | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA, | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA, | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA, |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 雪崩能效等级(Eas) | 980 mJ | 620 mJ | 620 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 400 V | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A | 45 A | 45 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω | 0.017 Ω | 0.017 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-259AA | TO-259AA | TO-259AA |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 | R-MSFM-P3 | R-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 100 A | 400 A | 400 A |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | - | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Is Samacsys | N | N | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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