Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HB56UW1664EJN-6A

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HB56UW1664EJN-6A: 产品描述EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小108KB，共20页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56UW1664EJN-6A概述

EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

HB56UW1664EJN-6A规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	EDO
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
最大待机电流	0.016 A
最大压摆率	2.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56UW1672EJN Series

HB56UW1664EJN Series

16777216-word

72-bit High Density Dynamic RAM Module

16777216-word

64-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-643 (Z)

Preliminary

Rev. 0.0

Aug. 31, 1996

Description

The HB56UW1672EJN Series, HB56UW1664EJN Series belong to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory

Module) family , and have been developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor

applications. The HB56UW1672EJN Series is a 16 M

72 Dynamic RAM Module, mounted 18 pieces of

64-Mbit DRAM (HM5164405AJ) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM (24C02) for

Presence Detect (PD). The HB56UW1664EJN Series is a 16 M

64 Dynamic RAM Module, mounted 16

pieces of 64-Mbit DRAM (HM5164405AJ) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM (24C02)

for Presence Detect (PD). The HB56UW1672EJN Series, HB56UW1664EJN Series offer Extended Data

Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the HB56UW1672EJN Series,

HB56UW1664EJN Series are 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the

HB56UW1672EJN Series, HB56UW1664EJN Series make high density mounting possible without surface

mount technology. The HB56UW1672EJN Series, HB56UW1664EJN Series provide common data inputs

and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each SOJ on the its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Outline: 133.35 mm (Length)

25.40 mm (Height)

9.00 mm (Thickness)



Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V)

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60 ns/70 ns (max)



Access time: t

CAC

= 15 ns/18 ns (max)

Preliminary: This document contains information on a new product. Specifications and information

contained herein are subject to change without notice.

HB56UW1664EJN-6A相似产品对比

	HB56UW1664EJN-6A	HB56UW1664EJN-7A	HB56UW1672EJN-6A	HB56UW1672EJN-7A
描述	EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 16MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 16MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N	N	N
访问模式	EDO	EDO	EDO	EDO
最长访问时间	60 ns	70 ns	60 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1207959552 bit	1207959552 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	72	72
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX64	16MX64	16MX72	16MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192
最大待机电流	0.016 A	0.016 A	0.018 A	0.018 A
最大压摆率	2.24 mA	1.92 mA	2.52 mA	2.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1

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