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MC-454CB646LFA-A10

产品描述Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, MOS, DIMM-168
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文件大小159KB,共16页
制造商NEC(日电)
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MC-454CB646LFA-A10概述

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, MOS, DIMM-168

MC-454CB646LFA-A10规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

MC-454CB646LFA-A10相似产品对比

MC-454CB646LFA-A10 MC-454CB646LFA-A80 MC-454CB646F-A80
描述 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, MOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, MOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX64 4MX64 4MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 -

 
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