MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications.
•
DC Current Gain Specified to 10 Amperes
•
High Current Gain — Bandwidth Product —
fT = 2.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
MJE2955T *
NPN
MJE3055T *
*Motorola Preferred Device
PNP
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
Value
60
70
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
10 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60 VOLTS
75 WATTS
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current
Base Current
5.0
10
6.0
75
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
MJE3055T, MJE2955T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
PD†
Watts
W/
_
C
0.6
TJ, Tstg
– 55 to + 150
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
θ
JC
Max
Unit
CASE 221A–06
TO–220AB
Thermal Resistance, Junction to Case
1.67
_
C/W
†Safe Area Curves are indicated by Figure 1. Both limits are applicable and must be observed.
10
7.0
5.0
dc
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0 ms
1.0 ms
100
µs
TJ = 150°C
SECOND BREAKDOWN LIMITED
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
TC = 25°C (D = 0.1)
20
30
7.0
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
50 60
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 1 is based on T J(pk) = 150
_
C. TC is vari-
able depending on conditions. Second breakdown pulse lim-
its are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
150
_
C.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown. (See AN415A)
v
Figure 1. Active–Region Safe Operating Area
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 1
3–628
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJE2955T MJE3055T
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 3.0 V
0.4
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
10
V, VOLTAGE (VOLTS)
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
60
—
—
—
—
—
—
Max
—
Unit
Vdc
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 200 mAdc, IB = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150
_
C)
Collector Cutoff Current
(VCB = 70 Vdc, IE = 0)
(VCB = 70 Vdc, IE = 0, TC = 150
_
C)
VCEO(sus)
ICEO
ICEX
700
1.0
5.0
1.0
10
5.0
µAdc
mAdc
ICBO
mAdc
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
DC Current Gain (1)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4 0 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
IEBO
hFE
mAdc
—
ON CHARACTERISTICS
20
5.0
—
—
—
100
—
1.1
8.0
1.8
—
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc)
VCE(sat)
Vdc
Base–Emitter On Voltage (1) (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on)
fT
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain–Bandwidth Product (IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 kHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width
500
v
300
µs,
Duty Cycle
v
20%.
2.0
MHz
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
300
200
100
VCE = 2.0 V
25°C
50
– 55°C
30
20
10
5.0
0.01
MJE3055T
MJE2955T
0.02
0.05 0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
10
0
25
50
75
100
125
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
150
175
Figure 2. DC Current Gain
MJE2955T
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.4
1.2
TJ = 25°C
Figure 3. Power Derating
MJE3055T
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
0.8
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
10
Figure 4. “On” Voltages
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–629
工作这点儿事
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
