Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJE16106BA

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MJE16106BA: 产品描述8A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小488KB，共65页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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MJE16106BA概述

8A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

MJE16106BA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	8 A
集电极-发射极最大电压	400 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	6
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon Power Transistor

Switchmode Bridge Series

. . . specifically designed for use in half bridge and full bridge off line converters.

Excellent Dynamic Saturation Characteristics

Rugged RBSOA Capability

Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) — 400 V

Collector–Emitter Breakdown — V(BR)CES — 650 V

State–of–Art Bipolar Power Transistor Design

Fast Inductive Switching:

tfi = 30 ns (Typ) @ 100

tc = 65 ns (Typ) @ 100

tsv = 1.3

µs

(Typ) @ 100

•

Ultrafast FBSOA Specified

•

100

C Performance Specified for:

RBSOA

Inductive Load Switching

Saturation Voltages

Leakages

•

Designer's

™

Data Sheet

MJE16106

POWER TRANSISTORS

8 AMPERES

400 VOLTS

100 AND 125 WATTS

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MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

400

650

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Sustaining Voltage

VCEO(sus)

VCES

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Voltage

VEBO

ICM

IBM

Collector Current — Continuous

— Pulsed (1)

Base Current — Continuous

— Pulsed (1)

Total Power Dissipation @ TC = 25

@ TC = 100

Derated above 25

Operating and Storage Temperature

100

0.8

Watts

TJ, Tstg

– 55 to 150

CASE 221A–06

TO–220AB

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance — Junction to Case

Maximum Lead Temperature for

Soldering Purposes 1/8″ from

Case for 5 Seconds

θJC

1.25

275

C/W

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle

10%.

Designer’s Data for “Worst Case” Conditions

— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit

curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.

REV 1

3–696

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

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