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2SB560: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小407KB，共5页; 制造商SANYO; 官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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2SB560概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

	2SB560	2SD438
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.7 A	0.7 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30	30
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	125 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.75 W	0.9 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz

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串并联APF的同异: 最近在看有源电力滤波器的相关知识，感觉串联型和并联型的APF在主电路拓扑上几乎没什么区别啊，只知道串联型的相当于一个受控电压源，工作时串联进主电路，一般补偿电容滤波型整流电路，并联型相当于一个受控电流源，工作时并联进主电路，一般补偿阻感负载型整流电路，小弟想问：单从主电路结构拓扑上看怎么区分到底是串联型的还是并联型的APF啊？这两者是不是只是只有软件上的不同啊？还有串联型的APF接入电路的方式和并...; _Mr.Q 电源技术

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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