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JANJ2N6988

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, FP-14
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANJ2N6988概述

Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, FP-14

JANJ2N6988规格参数

参数名称属性值
Objectid1813438885
包装说明FLATPACK, R-XDFP-F14
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-XDFP-F14
端子数量14
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/558
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Data Sheet No. 2N6988
Type 2N6988
Geometry
0600
Polarity PNP
Qual Level: JAN - JANS
Features:
General purpose silicon transistor
for switching and amplifier applica-
tions.
Housed in a
14-Lead Flat Package.
Also available in chip form using the
0600
chip geometry.
The Min and Max limits shown are
per
MIL-PRF-19500/558
which
Semicoa meets in all cases.
The
Typ
values are actual batch av-
erages for Semicoa.
Radiation Graphs available.
Generic Part Number:
2N6988
REF: MIL-PRF-19500/558
14L-FlatPack
Maximum Ratings
T
C
= 25
o
C unless otherwise specified
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
STG
Rating
60
60
5.0
600
-65 to +200
-65 to +200
Unit
V
V
V
mA
o
C
C
o

JANJ2N6988相似产品对比

JANJ2N6988
描述 Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, FP-14
Objectid 1813438885
包装说明 FLATPACK, R-XDFP-F14
针数 14
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A
集电极-发射极最大电压 60 V
最小直流电流增益 (hFE) 100
JESD-30 代码 R-XDFP-F14
端子数量 14
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/558
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

 
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