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EGP50F

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小332KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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EGP50F概述

Rectifier Diode,

EGP50F规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
EGP50A(Z) --- EGP50G(Z)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 400 V
CURRENT:
5.0
A
HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO -
27
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Terminals:
Solderable
per
MIL- STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode
Weight:
0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
EGP
50A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
@
5.0
A
Maximum reverse current
@T
A
=25
at rated DC blocking voltage @T
A
=125
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse uoltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance f rom junction to ambient.
EGP
50B
100
70
100
EGP
50C
150
105
150
5.0
EGP
50D
200
140
200
EGP
50F
300
210
300
EGP
50G
400
280
400
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JL
T
J
T
STG
50
35
50
@T
L
=55
150
A
0.95
5.0
50
50
95
5.0
- 55 ---- + 125
- 55 ---- + 150
1.25
V
A
ns
pF
/W
(Note2)
(Note3)
75
Operating junction temperature range
www.galaxycn.com
Document Number
1762173
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

 
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