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OM6501ST

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小19KB,共2页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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OM6501ST概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN

OM6501ST规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压500 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值4 V
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称接通时间 (ton)187 ns
Base Number Matches1

OM6501ST相似产品对比

OM6501ST 2SA743A
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package.

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