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BUK482-100/S62Z

产品描述1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共1页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

BUK482-100/S62Z概述

1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

BUK482-100/S62Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)1.8 A
最大漏源导通电阻0.28 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BUK482-100/S62Z相似产品对比

BUK482-100/S62Z BUK482-100
描述 1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 1.8 A 1.8 A
最大漏源导通电阻 0.28 Ω 0.28 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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