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BSP126TRL

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共4页
制造商YAGEO(国巨)
官网地址http://www.yageo.com/
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BSP126TRL概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

BSP126TRL规格参数

参数名称属性值
厂商名称YAGEO(国巨)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (ID)0.3 A
最大漏源导通电阻6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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