MJD18002D2,MJD18002D2 pdf中文资料,MJD18002D2引脚图,MJD18002D2电路-Datasheet-电子工程世界

MJD18002D2

Bipolar NPN Transistor

High Speed, High Gain Bipolar NPN

Power Transistor with Integrated

Collector−Emitter Diode and Built−In

Efficient Antisaturation Network

The MJD18002D2 is a state−of−the−art high speed, high gain

bipolar transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot

minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for

light ballast applications. Therefore, there is no longer a need to

guarantee an h

FE

window.

Features

http://onsemi.com

POWER TRANSISTOR

2 AMPERES

1000 VOLTS, 50 WATTS

•

Low Base Drive Requirement

•

High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ I

C

= 100 mA

•

Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the

•

H2BIP Structure which Minimizes the Spread

Integrated Collector−Emitter Free Wheeling Diode

Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V

CEsat

Characteristics Make It Suitable for PFC Application

Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

ESD Ratings: Human Body Model, 3B

u

8000 V

Machine Model, C

u

400 V

Six Sigma® Process Providing Tight and Reproductible Parameter

Spreads

Pb−Free Package is Available

Rating

Symbol

V

CEO

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

CM

I

B

I

BM

I

C

Value

450

1000

11

2.0

5.0

1.0

2.0

Unit

Vdc

Adc

Y

WW

18002D2

G

4

1 2

3

DPAK

CASE 369C

STYLE 1

MAXIMUM RATINGS

Collector−Emitter Sustaining Voltage

Collector−Base Breakdown Voltage

Collector−Emitter Breakdown Voltage

Emitter−Base Voltage

Collector Current

Base Current

−

Continuous

−

Peak (Note 1)

−

Continuous

−

Peak (Note 1)

Characteristic

Total Device Dissipation @ T

C

= 25°C

Derate above 25°C

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction−to−Case

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes: 1/8″ from Case for 5 seconds

MARKING DIAGRAM

YWW

180

02D2G

= Year

= Work Week

= Device Code

= Pb−Free Package

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

P

D

T

J

, T

stg

R

qJC

R

qJA

T

L

Value

50

0.4

−65

to +150

5.0

71.4

260

Unit

W

W/°C

°C

°C/W

°C

ORDERING INFORMATION

Device

MJD18002D2T4

MJD18002D2T4G

Package

DPAK

(Pb−Free)

Shipping

†

3000/Tape & Reel

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10%.

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

©

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009

March, 2009

−

Rev. 3

1

Publication Order Number:

MJD18002D2/D

Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

Î Î Î Î Î

Î Î

Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

Î Î Î Î Î

Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

Î Î Î ÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î ÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î ÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎ Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T

C

= 25°C unless otherwise noted)

DYNAMIC SATURATION VOLTAGE

DIODE CHARACTERISTICS

DYNAMIC CHARACTERISTICS

ON CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS

Dynamic Saturation Voltage

Determinated 1

ms

and 3

ms

respectively after rising I

B1

reaches

90% of final I

B1

Forward Recovery Time

(I

F

= 0.4 Adc, di/dt = 10 A/ms)

Forward Diode Voltage

(I

EC

= 1.0 Adc)

Input Capacitance (V

EB

= 8 Vdc)

Output Capacitance (V

CB

= 10 Vdc, I

E

= 0, f = 1 MHz)

Current Gain Bandwidth (I

C

= 0.5 Adc, V

CE

= 10 Vdc, f = 1 MHz)

DC Current Gain

(I

C

= 0.4 Adc, V

CE

= 1.0 Vdc)

Collector−Emitter Saturation Voltage

(I

C

= 0.4 Adc, I

B

= 40 mAdc)

Base−Emitter Saturation Voltage

(I

C

= 0.4 Adc, I

B

= 40 mAdc)

(I

C

= 1.0 Adc, I

B

= 0.2 Adc)

Emitter−Cutoff Current (V

EB

= 10 Vdc, I

C

= 0)

Collector Cutoff Current (V

CE

= Rated V

CES

, V

EB

= 0)

Collector Cutoff Current (V

CE

= Rated V

CEO

, I

B

= 0)

Emitter−Base Breakdown Voltage (I

EBO

= 1 mA)

Collector−Base Breakdown Voltage (I

CBO

= 1 mA)

Collector−Emitter Sustaining Voltage (I

C

= 100 mA, L = 25 mH)

(I

C

= 1.0 Adc, V

CE

= 1.0 Vdc)

(I

C

= 1.0 Adc, I

B

= 0.2 Adc)

(I

F

= 1.0 Adc, di/dt = 10 A/ms)

(I

EC

= 0.4 Adc)

(V

CE

= 500 V, V

EB

= 0)

Characteristic

I

C

= 1 Adc

I

B1

= 0.2 A

V

CC

= 300 Vdc

I

C

= 0.4 Adc

I

B1

= 40 mA

V

CC

= 300 Vdc

http://onsemi.com

MJD18002D2

@ 3

ms

@ 1

ms

@ 3

ms

@ 1

ms

2

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 125°C

V

CEO(sus)

V

CE(dsat)

Symbol

V

CE(sat)

V

BE(sat)

V

CBO

V

EBO

I

CEO

I

EBO

I

CES

V

EC

C

ob

h

FE

C

ib

t

fr

f

t

1000

Min

450

14

8.0

6.0

4.0

11

−

1100

0.36

0.50

0.78

0.87

0.40

0.65

11.7

Typ

480

517

340

570

2.5

7.4

0.6

1.0

1.2

10

6.0

50

13

25

15

14

−

1.3

Max

0.75

1.2

500

100

500

100

500

100

1.3

1.5

0.6

1.0

1.1

−

mAdc

MHz

Unit

Vdc

pF

ns

V

−

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎ Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î Î Î Î Î

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T

C

= 25°C unless otherwise noted)

SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load

(V

clamp

= 300 V, V

CC

= 15 V, L = 200

mH)

SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load

(D.C.S. 10%, Pulse Width = 40

ms)

Cross−over Time

Storage Time

Fall Time

Cross−over Time

Storage Time

Fall Time

Cross−over Time

Storage Time

Fall Time

Turn−off Time

Turn−on Time

Turn−off Time

Turn−on Time

Characteristic

I

C

= 0.4 Adc, I

B1

= 40 mAdc

I

B2

= 200 mAdc

V

CC

= 300 Vdc

I

C

= 1.0 Adc, I

B1

= 0.2 Adc

I

B2

= 0.5 Adc

V

CC

= 300 Vdc

I

C

= 0.8 Adc

I

B1

= 160 mAdc

I

B2

= 160 mAdc

I

C

= 0.4 Adc

I

B1

= 40 mAdc

I

B2

= 0.2 Adc

I

C

= 1.0 Adc

I

B1

= 0.2 Adc

I

B2

= 0.5 Adc

http://onsemi.com

MJD18002D2

3

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

Symbol

t

on

t

on

t

off

t

off

t

c

t

s

t

c

t

s

t

c

t

s

t

f

t

f

t

f

0.95

−

Min

2.1

−

0.4

−

0.8

−

1.05

1.45

Typ

100

275

350

130

140

130

120

100

94

225

375

110

100

−

3.0

−

0.7

−

1.5

−

1.5

100

115

1.25

−

Max

150

−

150

−

350

−

175

−

175

−

175

−

150

−

350

−

1.2

−

2.4

−

0.7

−

1.1

−

Unit

ns

ms

MJD18002D2

TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

100

V

CE

= 1 V

T

J

= 125°C

25°C

h

FE

, DC CURRENT GAIN

h

FE

, DC CURRENT GAIN

80

60

40

20

0

80

60

40

−20°C

20

0

T

J

= 125°C

25°C

100

V

CE

= 5 V

−20°C

0.001

0.01

0.1

1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10

0.001

0.01

0.1

1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10

Figure 1. DC Current Gain @ 1 V

Figure 2. DC Current Gain @ 5 V

4

T

J

= 25°C

V

CE

, VOLTAGE (VOLTS)

3

1A

V

CE

, VOLTAGE (VOLTS)

100

I

C

/I

B

= 20

2A

1.5 A

10

2

400 mA

1

I

C

= 200 mA

0.001

0.01

0.1

1

I

B

, BASE CURRENT (AMPS)

10

1

T

J

= 125°C

0.1

−20°C

0.001

25°C

0

0.01

0.1

1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10

Figure 3. Collector Saturation Region

Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage

100

I

C

/I

B

= 10

V

CE

, VOLTAGE (VOLTS)

V

CE

, VOLTAGE (VOLTS)

10

I

C

/I

B

= 5

10

1

T

J

= 125°C

0.1

−20°C

0.001

25°C

T

J

= 125°C

0.1

−20°C

0.001

25°C

0.01

0.1

1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10

0.01

0.1

1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10

Figure 5. Collector−Emitter Saturation Voltage

Figure 6. Collector−Emitter Saturation Voltage

http://onsemi.com

4

MJD18002D2

TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

10

I

C

/I

B

= 5

V

BE

, VOLTAGE (VOLTS)

V

BE

, VOLTAGE (VOLTS)

10

I

C

/I

B

= 10

1

−20°C

25°C

T

J

= 125°C

0.1

1

−20°C

25°C

T

J

= 125°C

0.001

0.01

0.1

1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10

0.1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10

Figure 7. Base−Emitter Saturation Region

I

C

/I

B

= 5

10

I

C

/I

B

= 20

V

BE

, VOLTAGE (VOLTS)

10

Figure 8. Base−Emitter Saturation Region

I

C

/I

B

= 10

FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)

1

−20°C

25°C

T

J

= 125°C

1

V

EC(V)

=

−20°C

125°C

25°C

0.1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10

0.1

0.01

0.1

1

10

REVERSE EMITTER−COLLECTOR CURRENT (AMPS)

Figure 9. Base−Emitter Saturation Region

I

C

/I

B

= 20

Figure 10. Forward Diode Voltage

TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS

1000

C

ib

(pF)

C, CAPACITANCE (pF)

T

J

= 25°C

f(test) = 1 MHz

3000

2500

2000

1500

1000

500

1

10

V

R

, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

100

0

I

C

/I

B

= 5

0.1

0.4

0.7

1

1.3

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

1.6

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

I

Bon

= I

Boff

I

C

/I

B

= 10

t, TIME (ms)

100

C

ob

(pF)

10

V

CC

= 300 V

PW = 40

ms

Figure 11. Capacitance

http://onsemi.com

5

Figure 12. Resistive Switch Time, t

on

MJD18002D2

MJD18002D2概述

文档预览

MJD18002D2相似产品对比

推荐资源