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BUK472-60B

产品描述TRANSISTOR 9.2 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小280KB,共5页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BUK472-60B概述

TRANSISTOR 9.2 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

BUK472-60B规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)30 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)9.2 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)100 pF
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值22 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)37 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)90 ns
最大开启时间(吨)59 ns
Base Number Matches1

BUK472-60B相似产品对比

BUK472-60B BUK472-60A
描述 TRANSISTOR 9.2 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power TRANSISTOR 10 A, 60 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
雪崩能效等级(Eas) 30 mJ 30 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 9.2 A 10 A
最大漏源导通电阻 0.15 Ω 0.13 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 100 pF 100 pF
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 22 W 22 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 37 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 90 ns 90 ns
最大开启时间(吨) 59 ns 59 ns
Base Number Matches 1 1
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