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BZD27C62P

产品描述Zener Diode, 62V V(Z), 6.45%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AA, LEAD FREE, PLASTIC, CASE M1F, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小1MB,共3页
制造商Fagor Electrónica
标准  
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BZD27C62P概述

Zener Diode, 62V V(Z), 6.45%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AA, LEAD FREE, PLASTIC, CASE M1F, SMA, 2 PIN

BZD27C62P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fagor Electrónica
零件包装代码DO-219AA
包装说明R-PDSO-F2
针数2
制造商包装代码CASE M1F
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-219AA
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.8 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压62 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差6.45%
工作测试电流10 mA
Base Number Matches1

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BZD27C Series
0.8 W Surface Mount Glass Passivated Zener Diode
Dimensions in mm.
CASE:
M1F (DO219AA)
Voltage
11 to 240 V
Power
0.8 W
R
• Silicon planar zener diodes
• Low profile surface-mount package
• Zener and surge curren specification
• Low leakage curren
• Excellent stability
• High temperature soldering:
260 °C / 10 seconds at terminals
MECHANICAL DATA
• Case: Sub SMA Plastic
Terminal: Pure tin plated lead free.
Packaging method: refer to package code
Marking code: as table
Weight: 10 mg (approx.)
XXX = Marking code
WW = Week code
Y = Year code
Maximun Ratings and Electrical Characteristics at 25 °C
SYMBOL
TYPE NUMBER
Forward Voltage
Power Dissipation
@ IF = 0.2A
TL = 80 °C
TA = 25 °C (Note 1)
Value
Unit
V
F
Ptot
P
ZSM
1.2
2.3
0.8
300
V
W
W
Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation
100 µs square pulse (Note 2)
Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation
10/1000 µs waveform (BZD27-C7V5P to BZD27-C100P)
(Note 2)
Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation
P
RSM
150
W
P
RSM
R.
JA
R.
JL
T
j
- T
stg
Notes:
10/1000 µs waveform (BZD27-110P to BZD27-C200P)
(Note 2)
100
180
30
-65 to + 175
W
K /W
K /W
°C
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
(Note 1)
Thermal Resistance Junction to lead
Operating and Storage Temperature Range
µmthick)
1.Mounted on Epoxy-Glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (
≥40
2. T
j
= 25
°C
Prior to surge
.
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