MCP6V26T-ESN放大器基础信息:
MCP6V26T-ESN是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为3.90 MM, PLASTIC, SOIC-8
MCP6V26T-ESN放大器核心信息:
MCP6V26T-ESN的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是125 °C。
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,MCP6V26T-ESN的标称压摆率有1 V/us。厂商给出的MCP6V26T-ESN的最大压摆率为0.8 mA.其最小电压增益为1778000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,MCP6V26T-ESN增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2000 kHz。MCP6V26T-ESN的功率为NO。其可编程功率为NO。
MCP6V26T-ESN的标称供电电压为2.3 V。而其供电电源的范围为:2.5/5 V。MCP6V26T-ESN的输入失调电压为2 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
MCP6V26T-ESN的相关尺寸:
MCP6V26T-ESN的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmMCP6V26T-ESN拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8
MCP6V26T-ESN放大器其他信息:
MCP6V26T-ESN采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。MCP6V26T-ESN的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:AUTOMOTIVE。
其属于微功率放大器。MCP6V26T-ESN不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。MCP6V26T-ESN的封装代码是:SOP。MCP6V26T-ESN封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。MCP6V26T-ESN封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。
MCP6V26T-ESN放大器基础信息:
MCP6V26T-ESN是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为3.90 MM, PLASTIC, SOIC-8
MCP6V26T-ESN放大器核心信息:
MCP6V26T-ESN的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是125 °C。
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,MCP6V26T-ESN的标称压摆率有1 V/us。厂商给出的MCP6V26T-ESN的最大压摆率为0.8 mA.其最小电压增益为1778000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,MCP6V26T-ESN增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2000 kHz。MCP6V26T-ESN的功率为NO。其可编程功率为NO。
MCP6V26T-ESN的标称供电电压为2.3 V。而其供电电源的范围为:2.5/5 V。MCP6V26T-ESN的输入失调电压为2 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
MCP6V26T-ESN的相关尺寸:
MCP6V26T-ESN的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmMCP6V26T-ESN拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8
MCP6V26T-ESN放大器其他信息:
MCP6V26T-ESN采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。MCP6V26T-ESN的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:AUTOMOTIVE。
其属于微功率放大器。MCP6V26T-ESN不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。MCP6V26T-ESN的封装代码是:SOP。MCP6V26T-ESN封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。MCP6V26T-ESN封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | 3.90 MM, PLASTIC, SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
标称共模抑制比 | 136 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 2 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 4.9 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | YES |
微功率 | YES |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TAPE AND REEL |
功率 | NO |
电源 | 2.5/5 V |
可编程功率 | NO |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
标称压摆率 | 1 V/us |
最大压摆率 | 0.8 mA |
供电电压上限 | 6.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
标称均一增益带宽 | 2000 kHz |
最小电压增益 | 1778000 |
宽带 | NO |
宽度 | 3.9 mm |
Base Number Matches | 1 |
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