Silicon PNP Epitaxial
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 160 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
标称过渡频率 (fT) | 120 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SA872 | 2SA872A | |
---|---|---|
描述 | Silicon PNP Epitaxial | Silicon PNP Epitaxial |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A |
配置 | Single | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 160 | 160 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
标称过渡频率 (fT) | 120 MHz | 120 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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