EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, 0.300 INCH, SOJ
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SK Hynix(海力士) |
零件包装代码 | SOJ |
包装说明 | SOJ, |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 60 ns |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
组织 | 4MX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 2048 |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子形式 | J BEND |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
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