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HY5117404BLJ-60

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, 0.300 INCH, SOJ
产品类别存储    存储   
文件大小60KB,共1页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5117404BLJ-60概述

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, 0.300 INCH, SOJ

HY5117404BLJ-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式J BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

 
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