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2SA2011

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共5页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SA2011概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN

2SA2011规格参数

参数名称属性值
Objectid1543500771
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)350 MHz

2SA2011相似产品对比

2SA2011 2SC5564
描述 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
Objectid 1543500771 1543500776
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 12 V 15 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 200
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 3.5 W 3.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 350 MHz 380 MHz

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