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S71PL256ND0GFW5B3

产品描述Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA84, 8 X 11.60 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84
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文件大小2MB,共84页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
标准
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S71PL256ND0GFW5B3概述

Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA84, 8 X 11.60 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84

S71PL256ND0GFW5B3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SPANSION
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数84
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
JESD-30 代码R-PBGA-B84
JESD-609代码e1
长度11.6 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
功能数量1
端子数量84
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压 (Vsup)3.1 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL EXTENDED
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度8 mm
Base Number Matches1

S71PL256ND0GFW5B3相似产品对比

S71PL256ND0GFW5B3 S71PL256ND0GFW5B0 S71PL256ND0GFW5B2 S71PL256ND0GAW5B0 S71PL256ND0GAW5B3 S71PL256ND0GAW5B2
描述 Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA84, 8 X 11.60 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84 Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA84, 8 X 11.60 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84 Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA84, 8 X 11.60 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84 Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA84, 8 X 11.60 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84 Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA84, 8 X 11.60 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84 Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA84, 8 X 11.60 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-84
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SPANSION SPANSION SPANSION SPANSION SPANSION SPANSION
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 VFBGA, VFBGA, VFBGA, VFBGA, VFBGA, VFBGA,
针数 84 84 84 84 84 84
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84
长度 11.6 mm 11.6 mm 11.6 mm 11.6 mm 11.6 mm 11.6 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 84 84 84 84 84 84
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C
组织 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 240 240 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.1 V 3.1 V 3.1 V 3.1 V 3.1 V 3.1 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 30 30 30
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm

 
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