Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> LT1001AMJG

LT1001AMJG: 产品描述LT1001AMJG放大器基础信息： LT1001AMJG是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8 LT1001AMJG放大器核心信息： LT1001AMJG的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.002 µA他的最大平均偏置电流为0.004 µA 如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LT1001AMJG的标称压摆率有0.25 V/us。厂商给出的LT1001AMJG的最大压摆率为3 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为300000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LT1001AMJG增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为800 kHz。 LT1001AMJG的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。LT1001AMJG的输入失调电压为60 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。） LT1001AMJG的相关尺寸： LT1001AMJG的宽度为：7.62 mm，长度为9.6 mmLT1001AMJG拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8 LT1001AMJG放大器其他信息： LT1001AMJG采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。LT1001AMJG的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。LT1001AMJG不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。LT1001AMJG的封装代码是：DIP。LT1001AMJG封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LT1001AMJG封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小466KB，共19页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 器件替换：LT1001AMJG替换放大器

敬请期待详细参数

LT1001AMJG概述

LT1001AMJG放大器基础信息：

LT1001AMJG是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8

LT1001AMJG放大器核心信息：

LT1001AMJG的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.002 µA他的最大平均偏置电流为0.004 µA

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LT1001AMJG的标称压摆率有0.25 V/us。厂商给出的LT1001AMJG的最大压摆率为3 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为300000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LT1001AMJG增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为800 kHz。

LT1001AMJG的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。LT1001AMJG的输入失调电压为60 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

LT1001AMJG的相关尺寸：

LT1001AMJG的宽度为：7.62 mm，长度为9.6 mmLT1001AMJG拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8

LT1001AMJG放大器其他信息：

LT1001AMJG采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。LT1001AMJG的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。LT1001AMJG不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。LT1001AMJG的封装代码是：DIP。LT1001AMJG封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LT1001AMJG封装引脚的形式有：IN-LINE。

其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

LT1001AMJG规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.004 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.002 µA
标称共模抑制比	126 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	60 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
长度	9.6 mm
低-失调	YES
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	+-15 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最小摆率	0.1 V/us
标称压摆率	0.25 V/us
最大压摆率	3 mA
供电电压上限	22 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
技术	BIPOLAR
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	800 kHz
最小电压增益	300000
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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