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BZT03-C8V2T/R

产品描述DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共9页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BZT03-C8V2T/R概述

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZT03-C8V2T/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明E-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压7.7 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压12.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散300 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流1200 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, 2 columns
M3D116
BZT03 series
Voltage regulator diodes
Product specification
Supersedes data of April 1992
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