电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BZT03-C51T/R

产品描述DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共9页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 全文预览

BZT03-C51T/R概述

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZT03-C51T/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明E-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压48 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压70.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散300 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, 2 columns
M3D116
BZT03 series
Voltage regulator diodes
Product specification
Supersedes data of April 1992
1996 Jun 11

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2019  1508  590  2817  1558  41  31  12  57  32 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved