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JAN1N6120A

产品描述DIODE 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小94KB,共2页
制造商Defense Supply Center Columbus
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JAN1N6120A概述

DIODE 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

JAN1N6120A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Defense Supply Center Columbus
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压35.1 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压29.7 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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