SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB
| MMBD352LT1_06 | MMBD353LT3 | MMBD352LT3 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | - | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | - | SOT-23 | SOT-23 |
| 包装说明 | - | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 针数 | - | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | - | CASE 318-08 | CASE 318-08 |
| Reach Compliance Code | - | _compli | _compli |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | - | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容 | - | 1 pF | 1 pF |
| 二极管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | - | MIXER DIODE | MIXER DIODE |
| 频带 | - | ULTRA HIGH FREQUENCY | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码 | - | TO-236AB | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
| 湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
| 元件数量 | - | 2 | 2 |
| 端子数量 | - | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | - | 125 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 235 | 240 |
| 最大功率耗散 | - | 0.225 W | 0.225 W |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | 30 |
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