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MMBT2222LT3G

产品描述600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小81KB,共6页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
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MMBT2222LT3G概述

600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236

600 mA, 30 V, NPN, 硅, 小信号晶体管, TO-236

MMBT2222LT3G规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大导通时间35 ns
最大关断时间285 ns
最大集电极电流0.6000 A
最大集电极发射极电压30 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数75
额定交叉频率250 MHz

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MMBT2222LT1,
MMBT2222ALT1
MMBT2222ALT1 is a Preferred Device
General Purpose Transistors
NPN Silicon
Features
http://onsemi.com
COLLECTOR
3
Pb−Free Packages are Available
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector −Emitter Voltage
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
Collector −Base Voltage
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
Emitter −Base Voltage
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
Collector Current − Continuous
I
C
V
EBO
5.0
6.0
600
mAdc
1
V
CBO
60
75
Vdc
Symbol
V
CEO
30
40
Vdc
Value
Unit
Vdc
1
BASE
2
EMITTER
3
2
SOT−23
CASE 318
STYLE 6
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR− 5 Board
(Note 1) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Total Device Dissipation Alumina
Substrate (Note 2) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
stg
417
−55 to +150
mW
mW/°C
°C/W
°C
1
xxx M
G
G
556
mW
mW/°C
°C/W
Max
Unit
MARKING DIAGRAM
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. FR−5 = 1.0

0.75

0.062 in.
2. Alumina = 0.4

0.3

0.024 in. 99.5% alumina.
xxx = 1P or M1B
M = Date Code*
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
1
January, 2006 − Rev. 6
Publication Order Number:
MMBT2222LT1/D

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描述 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
晶体管类型 通用小信号 通用小信号 RF SMALL SIGNAL 通用小信号 通用小信号 通用小信号 通用小信号 通用小信号
端子数量 3 3 - 3 3 3 3 3
晶体管极性 NPN NPN - NPN NPN NPN NPN NPN
最大导通时间 35 ns 35 ns - 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns
最大关断时间 285 ns 285 ns - 285 ns 285 ns 285 ns 285 ns 285 ns
最大集电极电流 0.6000 A 0.6000 A - 0.6000 A 0.6000 A 0.6000 A 0.6000 A 0.6000 A
最大集电极发射极电压 30 V 30 V - 30 V 30 V 40 V 40 V 30 V
加工封装描述 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN - HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
无铅 Yes Yes - Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes - Yes Yes - - Yes
中国RoHS规范 Yes Yes - Yes Yes - - Yes
包装形状 矩形的 矩形的 - 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes - Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE 锡 MATTE 锡 - MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡
端子位置 -
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 - 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的
元件数量 1 1 - 1 1 1 1 1
晶体管应用 开关 开关 - 开关 开关 开关 开关 开关
晶体管元件材料 -
最小直流放大倍数 75 75 - 75 75 75 75 75
额定交叉频率 250 MHz 250 MHz - 250 MHz 250 MHz 300 MHz 300 MHz 250 MHz
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