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MMBT4355

产品描述PNP General Purpose Amplifier
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小442KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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MMBT4355概述

PNP General Purpose Amplifier

MMBT4355规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)75
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间(toff)400 ns
最大开启时间(吨)100 ns

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PN4355 / MMBT4355
PN4355
MMBT4355
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
Mark: 81
B
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for use as a general purpose amplifier
and switch requiring collector currents to 500 mA. Sourced
from Process 67. See TN4033A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Value
60
60
5
800
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
PN4355
625
5.0
83.3
200
Max
*MMBT4355
350
2.8
357
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
PN4355/MMBT4355, Rev A

MMBT4355相似产品对比

MMBT4355 PN4355_01 PN4355
描述 PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Fairchild - Fairchild
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code compli - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A - 0.8 A
集电极-发射极最大电压 60 V - 60 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 75 - 75
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - O-PBCY-T3
JESD-609代码 e3 - e3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - ROUND
封装形式 SMALL OUTLINE - CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - NOT APPLICABLE
极性/信道类型 PNP - PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W - 0.6 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING - THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT APPLICABLE
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz - 100 MHz
最大关闭时间(toff) 400 ns - 400 ns
最大开启时间(吨) 100 ns - 100 ns

 
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