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5962R0250101VXC

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32
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文件大小354KB,共14页
制造商Atmel (Microchip)
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5962R0250101VXC在线购买

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5962R0250101VXC概述

Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32

5962R0250101VXC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码DFP
包装说明QFF, FL32,.4
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
Is SamacsysN
最长访问时间40 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDFP-F32
JESD-609代码e4
长度20.825 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码QFF
封装等效代码FL32,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度2.72 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Gold (Au)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
宽度10.415 mm
Base Number Matches1

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Features
Operating Voltage: 3.3V
Access Time: 40 ns
Very Low Power Consumption
– Active: 180 mW (Max)
– Standby: 70 µW (Typ)
Wide Temperature Range: -55°C to +125°C
400 Mils Width Package
TTL Compatible Inputs and Outputs
Asynchronous
Designed on 0.35 Micron Process
Latch-up Immune
100 Krads (TM1019.5)
SEU LET Better Than 3 MeV
QML Q and V with SMD 5962-02501
Description
The M65609E is a very low power CMOS static RAM organized as 131,072 x 8 bits.
Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low
consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked
systems.
Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the M65609E combines an
extremely low standby supply current (Typical value = 20 µA) with a fast access time
at 40 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell pro-
vides excellent protection against soft errors due to noise.
The M65609E is processed according to the methods of the latest revision of the MIL
STD 883 (class B or S), ESA SCC 9000 or QML.
It is produced on the same process as the MH1RT sea of gates series.
Rad. Hard
128K x 8
3.3-volt
Very Low Power
CMOS SRAM
M65609E
Rev. 4158F–AERO–03/04
1

5962R0250101VXC相似产品对比

5962R0250101VXC 5962-0250101VXC
描述 Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip)
零件包装代码 DFP DFP
包装说明 QFF, FL32,.4 QFF, FL32,.4
针数 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 40 ns 40 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDFP-F32 R-XDFP-F32
JESD-609代码 e4 e4
长度 20.825 mm 20.825 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 32 32
字数 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 QFF QFF
封装等效代码 FL32,.4 FL32,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Qualified Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度 2.72 mm 2.72 mm
最大待机电流 0.0015 A 0.0015 A
最小待机电流 3 V 3 V
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 FLAT FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 10.415 mm 10.415 mm
Base Number Matches 1 1
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