AHCT/VHCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 系列 | AHCT/VHCT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| 长度 | 19.56 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER |
| 最大I（ol） | 0.008 A |
| 功能数量 | 6 |
| 输入次数 | 1 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC） | 0.02 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 8.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 8.5 ns |
| 认证状态 | Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9680401QCX | 5962-9680401QDX | 5962-9680401Q2X | |
|---|---|---|---|
| 描述 | AHCT/VHCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 | AHCT/VHCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 | AHCT/VHCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
| 零件包装代码 | DIP | DFP | QLCC |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-14 | DFP, | QCCN, |
| 针数 | 14 | 14 | 20 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant |
| 系列 | AHCT/VHCT | AHCT/VHCT | AHCT/VHCT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | R-GDFP-F14 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 19.56 mm | 9.21 mm | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER | INVERTER | INVERTER |
| 最大I（ol） | 0.008 A | 0.008 A | 0.008 A |
| 功能数量 | 6 | 6 | 6 |
| 输入次数 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DFP | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC） | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA |
| 传播延迟（tpd） | 8.5 ns | 8.5 ns | 8.5 ns |
| 认证状态 | Qualified | Qualified | Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.03 mm | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 6.29 mm | 8.89 mm |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | - | Texas Instruments(德州仪器) |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 8.5 ns | - | 8.5 ns |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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