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2SA1480

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126ML, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小143KB,共5页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SA1480概述

Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126ML, 3 PIN

2SA1480规格参数

参数名称属性值
Objectid1481156775
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz

2SA1480相似产品对比

2SA1480 2SC3790
描述 Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126ML, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126ML, 3 PIN
Objectid 1481156775 1481157078
零件包装代码 SIP SIP
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 7 W 7 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz

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