Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126ML, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 1481156775 |
零件包装代码 | SIP |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 300 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 7 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
2SA1480 | 2SC3790 | |
---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126ML, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126ML, 3 PIN |
Objectid | 1481156775 | 1481157078 |
零件包装代码 | SIP | SIP |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 300 V | 300 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 | 40 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 7 W | 7 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz | 150 MHz |
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