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5KP100/4E-E3

产品描述DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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5KP100/4E-E3概述

DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Suppressor

5KP100/4E-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明O-PALF-W2
针数2
制造商包装代码CASE P600
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压136 V
最小击穿电压111 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

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5KP5.0 thru 5KP188A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
T
RANS
Z
ORB
®
Transient Voltage Suppressors
Stand-off Voltage
5.0 to 188 V
Peak Pulse Power
5000 W
Features
• Glass passivated junction
• 5000 W peak pulse power capability with a
10/1000
µs
waveform, repetition rate (duty cycle):
0.05 %
• Excellent clamping capability
• Low incremental surge resistance
• Very fast response time
• Devices with V
(BR)
> 10 V I
D
are typically less than
1.0
µA
• Available in uni-directional polarity only
• Meets MSL level 1 per J-STD-020C
• AEC-Q101 qualified
Mechanical Data
Case:
Molded plastic body over glass passivated
junction. Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating
Terminals:
Solder plated or matte tin plated
(E3 Suffix) leads, Solderable per J-STD-002B and
Mil-STD-750, Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
265 °C/10 seconds, 0.375" (9.5 mm) lead length,
5 lbs. (2.3 kg) tension
Polarity:
The color band denotes the cathode, which
is positive with respect to the anode under normal
TVS operation
Maximum Ratings and Characteristics
Ratings 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Peak pulse power dissipation
Peak pulse current
Steady state power dissipation
Peak forward surge current
Instantaneous forward voltage
Operating junction and storage
temperature range
Notes:
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
= 25 °C per Fig. 2.
(2) Mounted on copper pad area of 1.6 x 1.6" (40 x 40 mm) per Fig. 5.
(3) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum
Test condition
10/1000
µs
waveform
(1)
10/1000
µs
waveform
(1)
lead lengths 0.375“ (9.5 mm),
T
L
= 75 °C
100 A
(3)
(2)
Symbol
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
V
F
T
J
, T
STG
Value
5000
See next table
8.0
600
3.5
-55 to +175
Unit
W
A
W
A
V
°C
8.3 ms single half sine-wave
(3)
Document Number 88308
Rev. 1.2, 27-Oct-04
www.vishay.com
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