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M28W640ECB70N6

产品描述Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
产品类别存储    存储   
文件大小958KB,共54页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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M28W640ECB70N6在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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M28W640ECB70N6概述

Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

M28W640ECB70N6规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
类型NOR TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1

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M28W640ECT
M28W640ECB
64 Mbit (4Mb x16, Boot Block)
3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
SUPPLY VOLTAGE
– V
DD
= 2.7V to 3.6V Core Power Supply
– V
DDQ
= 1.65V to 3.6V for Input/Output
– V
PP
= 12V for fast Program (optional)
ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns
PROGRAMMING TIME:
– 10µs typical
– Double Word Programming Option
– Quadruple Word Programming Option
COMMON FLASH INTERFACE
MEMORY BLOCKS
– Parameter Blocks (Top or Bottom
location)
– Main Blocks
BLOCK LOCKING
– All blocks locked at Power Up
– Any combination of blocks can be locked
– WP for Block Lock-Down
SECURITY
– 128 bit user Programmable OTP cells
– 64 bit unique device identifier
AUTOMATIC STAND-BY MODE
PROGRAM and ERASE SUSPEND
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code, M28W640ECT: 8848h
– Bottom Device Code, M28W640ECB:
8849h
Figure 1. Packages
FBGA
TFBGA48 (ZB)
6.39 x 10.5mm
TSOP48 (N)
12 x 20mm
February 2004
1/54

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