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2SA1254

产品描述Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SA1254概述

Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)

2SA1254规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度140 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

2SA1254相似产品对比

2SA1254 2SC2206
描述 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70 70
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 140 °C 135 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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