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BUP314S

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小58KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BUP314S概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AB

BUP314S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)95 ns
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-218AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)90 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)490 ns
标称接通时间 (ton)125 ns
Base Number Matches1
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