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5962-9305605MXX

产品描述Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小230KB,共12页
制造商Simtek
官网地址http://www.simtek.com
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5962-9305605MXX概述

Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28

5962-9305605MXX规格参数

参数名称属性值
厂商名称Simtek
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
Is SamacsysN
最长访问时间45 ns
其他特性RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL
JESD-30 代码R-CDIP-T28
长度35.56 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度4.14 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

5962-9305605MXX相似产品对比

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描述 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
包装说明 DIP, QCCN, DIP, QCCN, QCCN,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 45 ns 45 ns 35 ns 35 ns 55 ns
其他特性 RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL
JESD-30 代码 R-CDIP-T28 R-CQCC-N28 R-CDIP-T28 R-CQCC-N28 R-CQCC-N28
长度 35.56 mm 13.97 mm 35.56 mm 13.97 mm 13.97 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP QCCN DIP QCCN QCCN
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883
座面最大高度 4.14 mm 2.29 mm 4.14 mm 2.29 mm 2.29 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL QUAD QUAD
宽度 7.62 mm 8.89 mm 7.62 mm 8.89 mm 8.89 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1

 
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