SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | AVAGO |
包装说明 | R-LTMW-F3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | HIGH RELIABILITY VERSION AVAILABLE |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
最大二极管电容 | 0.25 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
频带 | K BAND |
JESD-30 代码 | R-LTMW-F3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROWAVE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
脉冲输入最大功率 | 0.15 W |
脉冲输入功率最小值 | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | TRIPLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
肖特基势垒类型 | LOW BARRIER |
Base Number Matches | 1 |
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